0

Модуль памяти Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Отзывы:
(0)
  • Производители Samsung
  • Код Товара: M425R1GB4BB0-CWM
  • Артикул: 11010301
  • Наличие: В наличии
3 190 р.
Для Юр. лиц цена:
3 400 ₽ без НДС
3 700 ₽ с НДС
Купить в один клик
Введите номер телефона и мы перезвоним
Основные характеристики
Все характеристики
Высота (мм): -
Габариты (мм): -
Дополнительная информация: -
Компоновка чипов на модуле: -
Напряжение (В): 1.1
Дополнительные характеристики
Высота (мм) -
Габариты (мм) -
Дополнительная информация -
Компоновка чипов на модуле -
Напряжение (В) 1.1
Нормальная операционная температура (Tcase) -
Подсветка нет
Потребление энергии -
Расширенная операционная температура (Tcase) -
Цвет -
Чип -
Основные характеристики
Количество контактов 262
Количество модулей в комплекте (шт) 1
Количество чипов на модуле -
Линейка -
Модель M425R1GB4BB0-CWM
Низкопрофильная нет
Общий объем памяти (ГБ) 8
Объем одного модуля (ГБ) 8
Поддержка ECC Нет
Поддержка Reg Нет
Пропускная способность (МБ/с) 44800
Тип модуля SO-DIMM
Тип оборудования Оперативная память
Частота (MHz) DDR5 - 5600
Охлаждение
Поддержка водяного охлаждения -
Радиатор Нет
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS) -
CAS Latency (CL) -
RAS to CAS Delay (tRCD) -
Row Precharge Delay (tRP) -
Тайминги -
Отзывов (0)